حمایت مالی برای توسعه و مشخصه‌یابی حافظه‌ها

یکی از محققان موسسه پلی‌تکنیک سانی موفق به دریافت گرنتی از شرکت اینوویشن برای تحقیق روی مشخصه‌یابی و توسعه حافظه‌ها شده است.

کد خبر: ۱۰۵۰۵۰۴

چهارشنبه - ۳۰ آذر ۱۴۰۱ / December 21, 2022

به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، فاطمه فرخی؛ یکی از محققان موسسه پلی‌تکنیک سانی موفق به دریافت گرنتی از شرکت اینوویشن برای تحقیق روی مشخصه‌یابی و توسعه حافظه‌ها شده است.

موسسه پلی تکنیک سانی اعلام کرد آلن دیبولد، استاد حوزه علوم نانو این موسسه، بودجه‌ای از شرکت اینوویشن (Innovation) دریافت کرده است تا با استفاده از این بودجه، روی توسعه مواد مورد استفاده در حافظه تراشه‌های کامپیوتر‌ها کار کند. این گروه روی توسعه ساختار‌های چند لایه‌ای کار می‌کند که برای ساخت حافظه تراشه‌های سه‌بعدی استفاده می‌شود که نسبت به DRAM سرعت بالاتری دارند. از DRAM برای ذخیره موقت داده‌ها برای دسترسی کارآمد و به روزرسانی کد‌ها استفاده می‌شود. این بودجه قرار است روی روش‌های اندازه گیری برای اندازه گیری دقیق ساختار‌های حافظه به منظور امکان تولید با حجم بالا صرف شود.

تود لورسن از موسسه سانی می‌گوید: «من به استاد دیبولد برای دریافت این بودجه تبریک می‌گویم، که در نهایت می‌تواند درک بیشتری در مورد راه‌های اندازه‌گیری شکل و ابعاد سازه‌های DRAM ارائه کند و به بهینه‌سازی آن‌ها کمک کند.»

ناتانیل کدی از متخصصان حوزه نانو در موسسه سانی گفت: «این تحقیق گواهی بر تخصص دیبولد در این حوزه است. او در این پروژه علاوه بر مشارکت‌های صنعتی خود، از قابلیت‌های پیشرفته آزمایشگاه‌های اندازه‌گیری موسسه سانی استفاده می‌کند.»

به طور خاص، این تحقیق از قابلیت‌های منحصر به فرد طیف‌سنجی بیضی‌سنجی Mueller Matrix و تجزیه و تحلیل موج با نرم‌افزار AI Diffract to استفاده می‌کند تا از روی پراکندگی نوری برای اندازه‌گیری و ابعاد سیستم‌های حافظه سه‌بعدی ساخته شده از سیلیکون/سیلیکون ژرمانیوم (Si/SiGe) استفاده کند.

وی گفت: «من دیبولد را به خاطر دریافت این کمک هزینه تحسین می‌کنم، که نمونه‌ای عالی از تحقیقات پیشرفته انجام شده توسط موسسه سانی است.»

علاوه بر این، این پروژه سه ساله به یادگیری و کسب تجربه دانشجویان کمک می‌کند تا مواد و ساختار‌های مورد استفاده برای ساخت DRAM سه‌بعدی را بشناسند و روش‌های اشعه ایکس و نوری برای مشخصه‌یابی این محصولات را فرابگیرند. این تحقیق بر اندازه‌گیری ساختار‌ها برای تعیین شکل و ابعاد ویژگی حافظه‌ها تأکید خواهد کرد.