تولید حافظه فلش با فناوری پردازش 19 نانومتری

شرکت توشیبا با استفاده از فناوری پردازش 19 نانومتری موفق به تولید انبوه حافظه‌های فلش شده‌است.

کد خبر: ۲۷۸۶۲۵

سه‌شنبه - ۱۲ آذر ۱۳۹۲ / December 03, 2013

به گزارش گروه علمی «خبرگزاری دانشجو»، شرکت توشیبا با استفاده از فناوری پردازش 19 نانومتری موفق به تولید انبوه حافظه‌های فلش شده‌است. این حافظه‌ها دارای ظرفیت 4 تا 128 گیگابایت بوده و از یک سیستم کنترل‌کننده ویژه بهره‌مند است.

این سیستم کنترل‌کننده به حافظه امکان می‌دهد تا وظایف و برنامه‌هایی از پیش تعیین شده برای آن را مدیریت کند.

شرکت توشیبا امریکن الکترونیک کامپوننتس (Toshiba America Electronic Components) یکی از تولیدکنندگان قطعات الکترونیکی در جهان است. این شرکت علاوه‌بر حافظه‌های SSDs و هارددیسک، حافظه‌های فلش نیز تولید می‌کند. توشیبا اخیرا اعلام کرده که موفق به ارائه حافظه‌های فلش با فناوری پردازش 19 نانومتری شده‌است.

برای تولید این حافظه‌های فلش از فناوری پردازش نسل دوم 19 نانومتری شرکت توشیبا و استاندارد e-MMC™1 استفاده شده‌است. این حافظه‌ها به نحوی طراحی شده‌اند که بتوان از آن در محصولات مختلف استفاده کرد. هدف اصلی از تولید این حافظه‌ها، استفاده از آنها در تلفن‌های هوشمند، تبلت‌ها، دوربین‌های دیجیتال و کامپیوترهای شخصی است.

هر ساله تقاضا برای تراشه‌های حافظه فلش NAND افزایش می‌یابد و تولیدکنندگان ادوات الکترونیکی به دنبال حافظه‌های متراکم‌تر هستند. افزایش تراکم این حافظه‌ها منجر به بالاتر رفتن ظرفیت ذخیره‌سازی داده‌ها و امکان ضبط تصاویر با کیفیت‌ بالاتر می‌شود. برای تولید این حافظه‌ها، حافظه با بخش سیستم کنترل‌کننده ترکیب شده‌است که این کار موجب سهولت در طراحی سیستم‌ها می‌شود. شرکت توشیبا با افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی توانسته است تا موقعیت این محصول خود را در بازار تقویت کند.

توشیبا 32 گیگابایت حافظه را درون یک تراشه NAND قرار داده است، تراشه‌ای که با استفاده از فناوری پردازش نسل دوم 19 نانومتری ساخته شده‌است. سیستم کنترل‌کننده ویژه این حافظه در ابعاد 11.5 x 13 x 1.0mm طراحی شده‌است. با این فناوری می‌توان حافظه‌هایی بین 4 تا 128 گیگابایت تولید کرد، هر حافظه نیز سیستم کنترل‌کننده ویژه خود را داراست تا بتواند برنامه‌های از پیش تعیین شده برای حافظه را مدیریت کند.

بر اساس گزارش منتشر شده توسط شرکت توشیبا، تولید انبوه این حافظه‌ها از اواخر نوامبر 2013 آغاز شده‌است. در حال حاضر این حافظه‌ها با ظرفیت 16 و 32 گیگابایتی تولید می‌شوند و قرار است حافظه‌های 4، 8، 64 و 128 گیگابایتی نیز به زودی در مسیر تولید قرار گیرند.