طراحي ترانزيستورهاي جديد در دانشگاه سمنان

محققان دانشگاه سمنان با بهره گيري از فناوري نانولوله‌هاي کربني موفق به طراحي ترانزيستورهاي جديد و بهبود يافته شدند.

کد خبر: ۴۳۷۲۳

دوشنبه - ۲۰ مهر ۱۳۸۸ / October 12, 2009

به گزارش خبرنگار «شبکه خبر دانشجو» از سمنان، اولين ترانزيستور اثر ميداني نانولوله‌ کربني در سال 1998 گزارش شده است.

بر اساس اين گزارش، ‌اين ترانزيستورها داراي سرعت بسيار بالا و خصوصيات خوبي هستند ولي معايبي دارند که از آن جمله مي‌توان به وابستگي به ولتاژ در حالت خاموشي، رفتار ambipolar (دو قطبي) و زياد بودن مقدار سوئيچينگ اشاره کرد.

لازم به ذكر است، ارائه مدل‌هاي جديد براي اين ابزارها موجب درک دقيق‌تر مشخصات الکتريکي آنها شده که به رفع معايبشان کمک مي‌کند.

برپايه اين گزارش، از اين رو گروهي از شيميدان‌ها روش استثنايي براي توليد انبوه نانولوله‌هاي کربني دراز، مستقيم و منظم به قطر تنها چند اتم معرفي کردند و شرايطي براي رشد نانو لوله‌ها يافته‌اند که در آن تقريبا تمام نانولوله‌هاي رشد يافته، نيمه رسانا بوده و انتظار مي‌رود که استفاده از آن در صنعت الکترونيک به طور چشمگيري افزايش يابد.

همچنين در اين راستا، محققان دانشگاه سمنان مقياس‌پذيري ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله کربني با ناخالصي هاله‌اي را مورد بررسي قرار دادند.

گفتني است،‌ آنها در اين ساختار براي افزايش ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال، کانال را در نزديک منبع ترانزيستور با اتمهاي نوع p آلاييده کردند.

لازم به ذکر است، اين آلاييدگي باعث کاهش شديد جريان نشتي، بهبود نوسانات زيرآستانه و افزايش بهره ولتاژ نسبت جريان روشن به خاموش شده است./انتهاي پيام/