پيشرفت بزرگ در ترانزيستورهاي نانوسيمي

بواسطه يک کشف کليدي محققان در IBM، دانشگاه پوردو و دانشگاه کاليفرنيا، ساخت نسل جديدي از ترانزيستورهاي بسيار کوچک و تراشه‌هاي کامپيوتري قدرتمندتر با استفاده از ساختارهايي معروف به نانوسيم‌هاي نيمه‌رسانا، يک قدم به واقعيت نزديک‌تر شده‌ است.

کد خبر: ۵۵۵۳۰

سه‌شنبه - ۲۲ دی ۱۳۸۸ / January 12, 2010

به گزارش گروه علمي «شبکه خبر دانشجو»، اين محققان توانسته‌اند با لايه‌هايي از مواد مختلف نانوسيم‌هايي بسازند که در آنها هر کدام از اين لايه‌ها با دقت اتمي ساخته‌ شده‌اند.

اريک اِستَک، يکي از اين محققان گفت: داشتن لايه‌هاي مشخصي از مواد با دقت اتمي، شما را قادر مي‌کند که جريان الکترون‌ها و تبديل وضعيت اين جريان به روشن وخاموش، را کنترل و اصلاح کنيد.

توليد نانوسيم‌هايي با لايه‌هاي معيني از مواد مختلف توسط اين محققان، امکان ساخت ترانزيستور‌هاي نانوسيمي را فراهم کرده است، در حاليکه ترانزيستورهاي مرسوم با قطعه‌هاي افقي و مسطحي از سيليکون ساخته مي‌شوند، اين نانوسيم‌هاي نامتجانس سيليکوني به صورت عمودي رشد داده ‌مي‌شوند؛ به دليل اين ساختار عمودي، آنها پايه‌ي کوچک‌تري دارند و مي‌توان ترانزيستورهاي بيشتري روي يک تراشه يا مدار مجتمع قرار داد.

اين محققان ابتدا ذرات ريز آلياژ طلا- آلومينيوم را داخل يک ظرف خلاء ذوب کردند و سپس گاز سيليکون را وارد اين ظرف کردند. دانه ذوب‌شده‌ آلومينيوم- طلا سيليکون را جذب مي‌کند تا از سيليکون فوق‌اشباع شود. فوق اشباع شدن آن از سيليکون سبب ترسيب سيليکون و تشکيل نانوسيم مي‌شود.

روي نوک هر نانوسيم تشکيل شده يک دانه مايع از آلياژ آلومينيوم- طلا است، بطوريکه شبيه به يک قارچ است. اين محققان در نهايت دما را کاهش دادند تا کلاهک آلياژي جامد شود و بجاي گاز سيليکون، گاز ژرمانيوم را وارد ظرف کردند تا ژرمانيوم روي سيليکون ترسيب شود.

لازم به ذکر است، نتايج اين تحقيق در مجله Science منتشر شده است./انتهاي پيام/