همکاری شرکت فنلاندی و دانشگاه تایوانی برای توسعه صنعت نیمه‌هادی‌ها

شرکت فنلاندی پیکوسان همکاری مشترکی با یک شرکت و دانشگاه در تایوان آغاز کرده تا فناوری لایه‌نشانی اتمی را برای استفاده در صنعت نیمه‌هادی این کشور توسعه دهد.

کد خبر: ۶۲۲۸۸۹

شنبه - ۰۷ مرداد ۱۳۹۶ / July 29, 2017

به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، شرکت فنلاندی پیکوسان همکاری مشترکی با یک شرکت و دانشگاه در تایوان آغاز کرده تا فناوری لایه‌نشانی اتمی را برای استفاده در صنعت نیمه‌هادی این کشور توسعه دهد.

شرکت فنلاندی پیکوسان اوی (Picosun Oy) با همکاری دانشگاه ملی چیاو تونگ تایون و شرکت اتم سمیکون (Semicon) همکاری مشترکی برای توسعه ادوات نیترید گالیم با استفاده از فناوری لایه‌نشانی اتمی (ALD) آغاز کرده‌اند. این خبر توسط زیائوپنگ وو، مدیرعامل شرکت پیکوسان، اعلام شد.

این همکاری سه جانبه با هدف حمایت از تولید فناوری نیترید گالیم انجام می‌شود. پیکوسان معتقد است استفاده از فناوری ALD می‌تواند عملکرد ادوات را بهبود داده و آن‌ها را قابل اعتماد‌تر کند. همچنین این فناوری می‌تواند فاز تحقیق و توسعه قطعات جدید را تسریع کرده و زمان رسیدن آن‌ها را به بازار کاهش دهد.

کو می‌گوید: «پیکوسان شریک قابل اعتماد و قدیمی ما در حوزه ALD است. ما از تجهیزات ALD خود که محصول شرکت پیکوسان است، طی چند سال گذشته استفاده کرده‌ایم. تایوان به‌عنوان مرکز جهانی تولید نیمه‌هادی شناخته می‌شود و ما ارتباط نزدیکی با شرکای صنعتی داریم. این همکاری نزدیک منجر به تسهیل تجاری‌سازی نوآوری می‌شود. فناوری ALD شرکت پیکوسان امکان تولید در مقیاس‌های بزرگ را دارا بوده و و از آن‌ها در بخش‌های مختلف از تحقیق و توسعه گرفته تا تولید انبوه خودکار استفاده می‌شود.»

وی می‌افزاید: «این ادوات زمانی که ماژول‌های کم مصرف با ابعاد کوچک مورد نظر است، اهمیت زیادی پیدا می‌کنند. هدف پیکوسان این است که راهکار تولیدی جامعی برای تولیدکنندگان ارائه کند تا آن‌ها از این ابزار‌ها برای بهبود کارایی و طول عمر محصولات خود استفاده کنند.»

باب لین، قائم مقام مدیرعامل شرکت اتم سمیکون، می‌گوید: «این همکاری مشترک با دانشگاه NCYU و شرکت پیکوسان کاربرد صنعتی جدیدی برای ALD ایجاد خواهد کرد. چنین چیزی می‌تواند ارزش افزوده زیادی برای صنعت نیمه‌هادی تایوان به همراه داشته باشد. با چنین همکاری مشترکی، ما به زودی شاهد دستاوردهایی در حوزه فناوری ترانزیستورهای با سرعت حرکت الکترون بالا خواهیم بود.»