با ظرفیت ۸ گیگابایت؛

نسل دوم حافظه‌های ۱۰ نانومتری تلفن همراه به تولید انبوه رسید

شرکت سامسونگ نسل دوم از تراشه‌های ۱۰ نانومتری LPDDR ۵ را به تولید انبوه رساند که۲۰ درصد نازکتر بوده و ۱۰ درصد انرژی کمتری مصرف می‌کنند.

کد خبر: ۷۰۳۶۱۵

سه‌شنبه - ۲۳ مرداد ۱۳۹۷ / August 14, 2018

به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، شرکت سامسونگ اعلام کرد که نسل دوم حافظه‌های ۱۰ نانومتری DRAM تلفن همراه را به تولید انبوه رسانده است. این تراشه‌های DRAM جدید ۸ گیگابایت ظرفیت داشته و مصرف انرژی اندکی دارند.

براساس اطلاعات منتشر شده توسط سامسونگ، این تراشه‌ها از کارایی بالایی برخوردار بوده و به دلیل مصرف کم باتری برای باتری ادوات الکترونیکی بسیار مناسب هستند. قرار است از این حافظه‌ها در تلفن‌های هوشمند ممتاز یا دیگر ادوات همراه استفاده شود.

در مقایسه با تراشه‌های فعلی که در حال حاضر در تلفن‌های همراه استفاده می‌شوند، این نسل جدید حافظه‌ها ۱۰ درصد مصرف کمتری دارند، در حالی که اطلاعات را با همان سرعت یعنی ۴.۲۶۶ مگابایت برثانیه مبادله می‌کنند. این به معنای حفظ عملکرد و کاهش مصرف انرژی است.

سامسونگ همچنین اعلام کرد که بسته‌ی DRAM همراه ۸GB LPDDR۴X خود را با ترکیب ۴ تراشه DRAM ۱۰ نانومتری ۱۶Gb LPDDR۴X DRAM ساخته است (۱۶Gb=۲GB). این بسته قابلیت انتقال ۳۴.۱ گیگابایت بر ثانیه اطلاعات را داراست، در حالی که ۲۰ درصد نازکتر از نسل اول این تراشه است.

با استفاده از این فناوری می‌توان ضخامت و ابعاد ادوات همراه را کاهش داد؛ بدون این که عملکرد سیستم مختل شود.