در دانشگاه رازي کرمانشاه

اثر نقص روي خواص الکتريکي و مغناطيسي نانولوله‌هاي بورون نيتريد بررسي شد

محققان گروه فيزيک و پژوهشکده نانوي دانشگاه رازي کرمانشاه با استفاده از تئوري تابعي چگالي موفق به بررسي اثر نقص بر خواص الکتريکي و مغناطيسي نانولوله‌هاي بورون نيتريد شده‌اند.

کد خبر: ۸۳۵۱

شنبه - ۰۲ شهريور ۱۳۸۷ / August 23, 2008

به گزارش گروه علمي و آموزشي «شبکه خبر دانشجو»، نانولوله‌هاي بورون نيتريد، نيمه‌رساناهايي با گاف بزرگ هستند؛ که معمولاً گاف آنها بر حسب قطر از حدود 2/1 تا 4evاست؛ با افزايش قطر، گاف اين نانولوله‌ها زياد شده و به حدود 4ev که گاف يک صفحه بورون نيتريد است، مي‌رسد. در مقايسه با نانولوله‌هاي کربني که برخي نيمه‌رسانا و برخي ديگر رسانا هستند، تمام بورون نيتريدها نيمه‌رسانا هستند؛ بعضي از اين بورون نيتريد‌ها داراي گاف مستقيم و بعضي داراي گاف غير مستقيم هستند.

دکتر رستم مراديان، عضو هيئت علمي گروه فيزيک دانشگاه رازي کرمانشاه در قالب پروژه دکتري سام آزادي به بررسي اثر نقص‌هاي نيتروژن و بورون در نانولوله‌هاي بورون نيتريد پرداخته‌اند.

وي در اين بار گفت: نانولوله‌هاي بورون نيتريد در دستگاه‌هاي اپتوالکترونيک کاربردهاي بسياري دارند؛ علاوه بر اين به دليل گاف متغير اين نانولوله‌ها مي‌توان از آنها در ليزرهاي نيمه‌رسانا با طول موج‌هاي متغير نيز استفاده کرد. با توجه به کاربرد اين نانولوله‌ها لازم است که تأثير نقص‌ها و جاهاي خالي بر خواص مغناطيسي و الکتريکي آنها بررسي شود.

وي افزود: ما براي بررسي اثر نقص بر خواص الکتريکي و مغناطيسي نانولوله بورون نيتريد، تعدادي از نيتروژن‌ها و بورون‌ها را برداشته و با استفاده از تئوري تابعي چگالي، تغييرات صورت گرفته را مورد بررسي قرار داده‌ايم.

دکتر مراديان تصريح کرد: نتايج حاکي از آن است که نقص‌ها يا جاهاي خالي سبب ايجاد خاصيت مغناطيسي‌شدگي در نانولوله‌هاي بورون نيتريد مي‌شود و يک سيستم نيمه‌رساناي مغناطيسي تشکيل مي‌شود. تحليل يافته‌ها نشان مي‌دهد که بين نقص‌هاي بورون و نيتروژن اختلاف وجود دارد؛ همچنين مي‌توان از اين نانولوله‌ها در دستگاه‌هاي اسپين الکترونيک (براي ضبط اطلاعات و تقويت جريان) استفاده کرد.

جزئيات اين پژوهش که از حمايت‌هاي تشويقي ستاد ويژه توسعه فناوري ‌نانو بهره‌مند شده، در مجله Europhysics Letters، (جلد 83، صفحه 17007، سال 2008) منتشر شده است./انتهاي پيام/