ابداع روشي جديد در ساخت مدارهاي نانوسيمي توسط محققان آلماني و آمريکايي

گروهي از محققان آلماني و آمريکايي به روش جديدي براي توليد مدارهاي مجتمع نانوسيمي فوتونيکي و الکترونيکي دست يافتند و اميدوارند در آينده بتوانند اين روش را به توليد انبوه برسانند.

کد خبر: ۸۵۰۸

دوشنبه - ۰۴ شهريور ۱۳۸۷ / August 25, 2008

به گزارش گروه علمي و آموزشي «شبکه خبر دانشجو»، اگرچه توليد انبوه نانوسيم‌هاي رسانا آسان و ارزان است، مشکل عمده، چگونگي قرار دادن آنها در مدارهاي الکتريکي است. براي رفع اين مشکل محققان آلماني و آمريکايي از روش‌هاي مرسوم توليد مدارهاي مجتمع سيليکوني و ليتوگرافي نوري استفاده کرده، الگوي مورد نظر خود را ايجاد كردند. با توجه به آنکه اين روش به ترتيب هندسي قرار گرفتن نانوسيم‌ها روي ماده پايه بستگي ندارد، مي‌توان از آن علاوه بر روش‌هاي ديگر نيز استفاده کرده، مدارهاي فوتونيکي را به شيوه‌اي استاندارد ساخت.

دستگاه‌هاي نانوسيمي اين محققان داراي ساختاري ساندويچي است و نانوسيم‌ها بين دو لايه بسيار رسانا ـ که دو اتصال فلزي بالا و پايين دستگاه را تشکيل مي‌دهند ـ قرار داده مي‌شوند. استفاده از اين روش مانع از اتصال کوتاه مدارها شده، جريان يکنواختي را در آنها ايجاد مي‌کند. با توجه به آنکه اين نانوسيم‌ها از مواد مورد استفاده در الکترونيک و فوتونيک ساخته مي‌شوند، استفاده از آنها در ديودهاي نشر نور و مدارهاي مجتمع سيليکوني امکان‌پذير است و تاکنون صدها ديود نشر نور فرابنفش به اين شيوه ساخته شده‌است.

اين دانشمندان اميدوارند توسعه اين روش منجر به ساخت نانوسيم‌هايي براي تمام انواع ويفرهاي الکترونيکي شود؛ که در آن صورت دسته کاملاً جديدي از مدارهاي مجتمع و اتصالات نوري داخلي پديد مي‌آيد؛ مثلاً مي‌توان از آن در ساخت حسگرهاي روي تراشه استفاده كرد.

گفتني است، اين تحقيق ـ که در مرحله اخذ گواهي ثبت اختراع است ـ با حمايت مالي بنياد ملي علوم و بنياد تحقيقات آلمان انجام شده‌ است و نتايج آن در نشريه Nano Letters به چاپ رسيده ‌است./انتهاي پيام/