ترفندی برای افزایش ترانزیستورها در تراشه‌های جدید

دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، موفق به افزایش دانسیته ترانزیستورها شدند.

کد خبر: ۹۸۷۰۳۱

شنبه - ۱۱ دی ۱۴۰۰ / January 01, 2022

به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، موفق به افزایش دانسیته ترانزیستور‌ها شده و با این کار موفق به افزایش دوام شارژ باتری تلفن‌های همراه به بیش از یک هفته شدند.

آی‌بی‌ام و سامسونگ چیپ جدیدی را معرفی کردند که می‌تواند دوام شارژ باتری موبایل شما را تا بیش از یک هفته افزایش دهد. این دو شرکت با هم متحد شده‌اند تا نوعی ریزتراشه را توسعه دهند که کارآمدتر باشد و این فناوری را یک قدم جلوتر ببرد.

تراشه جدیدی که به تازگی معرفی شده است که می‌تواند انقلابی در این حوزه باشد. این ترانزیستور VTFET (ترانزیستور‌های اثر میدان انتقال عمودی) نام دارد و می‌تواند گام بعدی در دنیای فناوری نانو باشد.

این فناوری به لطف همکاری بین IBM و سامسونگ ایجاد شده است. این دو شرکت بزرگ در تحقیقاتی که با ارائه این تراشه جدید به پایان رسیده است، دست به دست هم داده اند تا گامی در حوزه ساخت تراشه‌های جدید بردارند.

مهمترین نکته در مورد این محصول، ساختار آن است. این محصول با روش جدیدی برای چیدن ترانزیستور‌ها به‌صورت عمودی ساخته شده است. با این کار، امکان استفاده بهتر از فضا فراهم شده و جریان بهتر انرژی به دست می‌آید.

به گفته مسئولان دو شرکت، آن‌ها این کار را برای جایگزینی فناوری فعلی انجام داده اند. در حالی که ترانزیستور‌ها اکنون به صورت افقی چیده می‌شوند و فضا‌های ۲ نانومتری را اشغال می‌کنند، این فناوری جدید به آن‌ها اجازه می‌دهد تا روی هم قرار گیرند.

با این طراحی عمودی، علاوه بر قرار دادن ترانزیستور‌های بیشتر روی یک تراشه، کارایی بیشتری نیز حاصل می‌شود. به گفته این شرکت‌ها، تراشه‌های VTFET می‌توانند «بهبودی دو برابری در عملکرد یا کاهش ۸۵ درصدی مصرف انرژی» ارائه دهند.

قانون مور به ما می‌گوید که تعداد ترانزیستور‌هایی که وارد یک تراشه می‌شوند می‌تواند هر دو سال یکبار دو برابر شود. اپل قبلاً از این حد فراتر رفته است و باعث شده است که پردازنده‌های جدیدش چندین میلیون ترانزیستور بیشتر از نسخه‌های قبلی خود داشته باشند.

به نظر می‌رسد که این قانون در حال کم‌رنگ شدن است، در حالی که شما شاید نتوانید اجزای کوچکتر بسازید، اما تراشه VTFET می‌توانند تعداد ترانزیستور‌ها را در واحد حجم افزایش دهند. آن‌ها می‌توانند ترانزیستور‌ها را روی هم بگذارند و تعداد و ظرفیت آن‌ها را به صورت تصاعدی افزایش دهند.

آی‌بی‌ام و سامسونگ اطمینان می‌دهند که باتری‌های تلفن‌های همراه با این فناوری می‌توانند بیش از یک هفته بدون شارژ به جای چند روز دوام بیاورند.»

هنوز زمان زیادی وجود دارد تا این فناوری به دست ما برسد، اما این فناوری در حال پیشرفت است.