لی سونگ وون از دپارتمان فیزیک و شیمی در موسسه علوم و فناوری Daegu Gyeongbuk (DGIST)، موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثر میدان آلی نانومش در جهان شد.
کد خبر: ۱۰۳۶۲۶۲ تاریخ انتشار : ۱۴۰۱/۰۷/۱۸
