با تلاش محققان؛
محققان با نانوساندویچ کردن لایه اکسید آلومینیوم میان کاربید و اکسیدسیلیکون، موفق شدند انتقال حرارت از ترانزیستور را دو برابر افزایش دهند.
کد خبر: ۷۱۳۶۳۱ تاریخ انتشار : ۱۳۹۷/۰۷/۰۷