به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، شرکت وبیت‌نانو (Weebit Nano) یکی از توسعه‌دهندگان پیشرو در فناوری‌های حافظه نسل بعدی برای صنعت نیمه‌هادی درجهان، نوعی از تراشه‌ها را با هم ادغام می‌کند و آن‌ها را به صورت حافظه یکپارچه تصادفی مقاومت تصادفی (RERAM) در یک FD-SOI ۲۲ نانومتری ارائه می‌دهد.
این اولین نوار ۲۲ نانومتری این شرکت است. شرکت وبیت‌نانو با شرکای توسعه خود Cea-Leti و CEA-List همکاری کرد تا با موفقیت فناوری RERAM خود را تا ۲۲ نانومتر کاهش دهد. این تیم‌ها یک ماژول حافظه IP را طراحی کردند که یک بلوک RERAM چند مگابیتی را در خود ادغام می‌کند و فرآیند ۲۲ نانومتری FD-SOI را هدف قرار می‌دهد که برای ارائه عملکرد‌های برجسته برای کاربرد‌های با مصرف کم انرژی مانند IoT و Edge AI طراحی شده است.
از آنجا که فلاش تعبیه شده قادر به کاهش ابعاد به کمتر از ۲۸ نانومتری نیست، برای رسیدن به هندسه‌های کوچکتر، به فناوری جدید حافظه غیر فرار (NVM) نیاز است. RERAM در FD-SOI ۲۲ نانومتری یک راه‌حل NVM تعبیه شده کم مصرف و مقرون به صرفه را ارائه می‌دهد که می‌تواند در برابر شرایط سخت محیطی مقاومت کند.
کوبی هانوچ، مدیرعامل شرکت وبیت‌نانو گفت: «ما خوشحالیم که برنامه عرضه اولین تراشه ۲۲ نانومتر برنامه‌ریزی کردیم. ما در حال تسریع حرکت در مسیر به سمت هندسه‌های پیشرفته‌تر هستیم تا نیاز بازار در برنامه‌هایی مانند میکروکنترلرها، IoT، ۵ G، Edge AI و خودروسازی را برآورده کنیم. NVM تعبیه شده عنصر اصلی چنین طرح‌هایی است، اما از آنجا که فلش تعبیه شده برای ساخت در مقیاس زیر ۲۸ نانومتر دشوار است، بسیاری از شرکت‌ها به دنبال فناوری‌های نوظهور مانند RERAM هستند. علاقه شرکت‌هایی که به دنبال استفاده از RERAM ما برای ایجاد محصولات جدید هیجان‌انگیز در این حوزه‌ها هستند، افزایش یافته است.»
اولیور فینوت رئیس بخش مؤلفه سیلیکون Cea-Leti گفت: «فناوری FD-SOI با ولتاژ‌های کم و نشت اندک، عملکرد بالایی را فراهم می‌کند تا دستگاه‌ها بتوانند در فرکانس‌های بالاتر با راندمان انرژی بهتر کار کنند. همچنین ادغام آسانتر از ویژگی‌های دیگر این فناوری است. با وجود فناوری Reram در این فرآیند، این صنعت گزینه NVM بسیار کارآمد و قوی برای نوآوری‌های آینده محصول خود خواهد داشت.»
ارسال نظرات