همکاری مشترک برای استفاده از لایه‌نشانی در توسعه حافظه‌های دوبعدی

به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، گروه پیکوسان (Picosun Group) یکی از ارائه‌دهندگان پیشرو در زمینه پوشش‌های لایه نازک (AGILE ALD®) است. این شرکت به تازگی همکاری مشترکی با موسسه آاستار آغاز کرده تا با کمک لایه‌نشانی اتمی نسل جدید فناوری‌های حافظه دوبعدی را توسعه دهد.

در این همکاری مشترک، پیکوسان رهیافت‌های لایه‌نشانی اتمی و مشاوره‌های لازم در این زمینه را برای تولید حافظه‌های دسترسی تصادفی فروالکتریک موسوم به ReRAM را در اختیار موسسه آاستار قرار می‌دهد. این امر باعث تقویت همکاری طولانی مدت میان طرفین خواهد شد. همچنین فرصت‌های تازه‌ای برای مقیاس‌پذیری و صنعتی‌سازی این فناوری برای ویفر‌های ۱۲ اینچی ایجاد می‌شود.

FeRAM و ReRAM حافظه‌هایی در حال ظهور هستند که از مزایای احتمالی آن‌ها نسبت به فناوری‌های موجود، می‌توان به غیرفرار بودن، ساختار ساده و استفاده کمتر از انرژی اشاره کرد.

ALD روشی ایده‌آل برای تولید ساختار‌هایی با دانسیته بالا و بسیار نازک است. این ویژگی‌ها از پتانسیل بالایی برای حل چالش‌های تولید FeRAM و ReRAM برخوردار بوده و می‌تواند هزینه تولید را برای تولید حافظه کاهش دهد.

موقعیت پایدار ALD در صنایع نیمه‌هادی از پیاده‌سازی این فناوری در ساخت تراشه‌های جدید پشتیبانی می‌کند. دیم لی کفونگ از مدیران موسسه آاستار می‌گوید: «موسسه آاستار در توسعه فناوری‌های جدید و پیشرفته میکروالکترونیک پیشرو است. ما مشتاقانه منتظریم تا همکاری خود را با پیکوسان در توسعه رهیافت‌های پیشرفته FeRAM و ReRAM به بازار‌های نوظهور ادامه دهیم.»

جسی راتی، مدیرعامل شرکت پیکوسان می‌گوید: «ما بسیار خوشحالیم که با موسسه آاستار در زمینه فناوری‌های حافظه همکاری می‌کنیم. سنگاپور یکی از قطب‌های اصلی ما در آسیا بوده و موسسه آاستار نیز یکی از مشتریان قابل احترام برای ما طی سالیان گذشته بوده است. این همکاری، نوآروی‌ها و روش‌های جدیدی را در تولید تراشه‌های حافظه مدرن ایجاد می‌کند و موقعیت ما در بازار و رقابت‌پذیری را بهبود می‌دهد.»